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深紫外寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng)OminFluo990-DUV，基于我司20年左右的第三代半導(dǎo)體表征測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，可以有效地對(duì)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料例如AlN和AlGaN等進(jìn)行熒光激發(fā)

深紫外光電流測(cè)試系統(tǒng)DSR300-DUV，通過193的脈沖激光器或者等離子體光源+單色儀的連續(xù)193光源，對(duì)器件的光電流響應(yīng)進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量速度約4KHZ，同時(shí)通過標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器對(duì)激光強(qiáng)度波動(dòng)進(jìn)行測(cè)量，對(duì)結(jié)果進(jìn)行校正。

卓立漢光SPM300半導(dǎo)體晶圓應(yīng)力與載流子濃度檢測(cè)儀，拉曼光譜作為一種非破壞性檢測(cè)技術(shù)，能夠高靈敏度地檢測(cè)材料中的應(yīng)力狀態(tài)。其原理基于光與材料內(nèi)化學(xué)鍵的相互作用，通過分析散射光譜的變化，獲取材料的應(yīng)力信息。 與其他檢測(cè)方法相比，拉曼光譜具有快速、無損、空間分辨率高等優(yōu)勢(shì)，特別適用于半導(dǎo)體材料的應(yīng)力檢測(cè)。

半導(dǎo)體晶圓缺陷與少子壽命測(cè)試系統(tǒng)-SPM900，PL測(cè)試是一種無損的測(cè)試方法，可以快速、便捷地表征半導(dǎo)體材料的缺陷、雜質(zhì)以及材料的發(fā)光性能。

晶圓缺陷參數(shù)檢測(cè) : 非接觸測(cè)試解決方案，基于我司自主研發(fā)的激光自動(dòng)聚焦、自動(dòng)化顯微成像、寬場(chǎng)熒光成像、共焦光致發(fā)光和拉曼光譜等核心測(cè)試技術(shù)，聯(lián)合白光干涉等其它 3D 測(cè)量技術(shù)，定制化的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試解決方案。獲得從粗糙度、圖形尺寸和膜厚等幾何參數(shù)，到位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷，再到發(fā)光波長(zhǎng)、壽命、載流子濃度、組分和應(yīng)力等物理參數(shù)的綜合測(cè)試系統(tǒng)。

晶圓缺陷檢測(cè)：寬場(chǎng)熒光顯微成像模組，以自動(dòng)化顯微鏡模組為基礎(chǔ)，針對(duì) SiC 等化合物半導(dǎo)體晶圓位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷檢測(cè)需求。